特許
J-GLOBAL ID：200903053231068289

高分子電解質、プロトン伝導膜および膜-電極構造体

発明者：
大月 敏敬

大月 敏敬 について

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金岡 長之

金岡 長之 について

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井口 勝

井口 勝 について

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満田 直樹

満田 直樹 について

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相馬 浩

相馬 浩 について


出願人/特許権者：
本田技研工業株式会社

本田技研工業株式会社 について

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JSR株式会社

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代理人 (4件)： 鈴木 俊一郎 ,  牧村 浩次 ,  高畑 ちより ,  鈴木 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-015864
公開番号（公開出願番号）：特開2004-256797
出願日： 2004年01月23日
公開日（公表日）： 2004年09月16日
要約：
【課題】耐熱水性、ラジカル耐性が改良された高分子電解質、該高分子電解質からなるプロトン伝導膜および膜-電極構造体を提供すること。 【解決手段】本発明に係る高分子電解質は、ポリエーテル、ポリケトン、ポリエーテルケトン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリベンゾイミダゾール、ポリベンゾチアゾール、ポリベンゾオキサゾール等から選ばれる少なくとも1種のポリマーからなり、該ポリマーが、芳香環および複素環、またはこれらのいずれか一方を繰り返し構造単位に有し、かつ下記一般式(1)で表される構造を繰り返し構造単位として有することを特徴とする。【化1】(式中、Xは単結合、電子吸引基または電子供与基、Rは単結合、-(CH2)q-または-(CF2)q-、qは1〜10、mは0〜10、kは0〜5、lは0〜4、k+l≧1)。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
ポリエーテル、ポリケトン、ポリエーテルケトン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリベンゾイミダゾール、ポリベンゾチアゾール、ポリベンゾオキサゾール、ポリフェニレンスルフィド、ポリヒダントイン、ポリキノキサリン、ポリキノリン、ポリオキサジアゾールおよびポリパラバン酸から選ばれる少なくとも1種のポリマーからなる高分子電解質であって、 該ポリマーが、芳香環および複素環、またはこれらのいずれか一方を繰り返し構造単位に有し、かつ下記一般式(1)で表される構造を繰り返し構造単位として有することを特徴とする高分子電解質。
IPC (5件)：
C08G85/00 ,  C25B9/10 ,  C25B13/08 ,  H01B1/06 ,  H01M8/02
FI (5件)：
C08G85/00 ,  C25B13/08 ,  H01B1/06 A ,  H01M8/02 P ,  C25B11/20
Fターム (19件)：
4J031AA41 ,  4J031AB04 ,  4J031BD07 ,  4J031BD08 ,  4J031BD23 ,  4J031CA06 ,  4J031CA09 ,  4J031CD25 ,  4K011BA04 ,  4K011BA07 ,  4K011DA01 ,  4K011DA03 ,  4K011DA11 ,  5G301CA30 ,  5G301CD01 ,  5H026AA06 ,  5H026CX05 ,  5H026EE18 ,  5H026HH00
引用特許：
審査官引用 (4件)
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