特許
J-GLOBAL ID：200903090715332846
スルホン化フッ素含有重合体、それを含有する樹脂組成物および高分子電解質膜
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
深見 久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-352042
公開番号（公開出願番号）：特開2003-147075
出願日： 2001年11月16日
公開日（公表日）： 2003年05月21日
要約：
【要約】【課題】 スルホン酸基の導入量が制御されており、高分子電解質膜の材質として用いた際に高温でも優れた性質を示すスルホン化フッ素含有重合体を提供する。【解決手段】 下記の式(6)で表される繰返し単位を含有するスルホン化フッ素含有重合体。ここで、前記スルホン化フッ素含有重合体の対数粘度は0.1以上であることが好ましい。【化1】
請求項（抜粋）：
下記の式(1)で表される繰返し単位を含有するスルホン化フッ素含有重合体。【化1】(式(1)において、m,m’は芳香族環あたりのフッ素原子の配位数を表わし、m,m’は0〜4の整数であり、m+m’は1〜8の整数である。X,X’はハロゲン原子、炭素原子数1〜6の低級アルキル基または炭素原子数1〜6の低級アルコキシル基を表し、q,q’は芳香族環あたりのX,X’の配位数を表わし、q,q’は0〜4の整数である。Rは下記の式(2a)〜(2j)のいずれかで示される結合単位である。)【化2】(式(2a)〜(2j)のいずれかにおいて、n1〜n29は芳香族環あたりのスルホン酸基の配位数を表わし、n1〜n29は0〜2の整数であり、n1+n2,n3+n4,n5+n6,n7+n8,n9+n10,は1〜4の整数であり、n11+n12+n13は1〜6の整数であり、n14+n15+n16+n17,n18+n19+n20+n21,n22+n23+n24+n25,n26+n27+n28+n29は1〜8の整数である。Z1〜Z29は、炭素原子数1〜6の低級アルキル基、炭素原子数1〜6の低級アルコキシル基、炭素原子数1〜6の低級カルボキシル基、炭素原子数1〜6の低級カルボニル基、ニトロ基、アミノ基、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、よりなる群から選ばれる一種または二種以上の官能基であり、r1〜r29は、芳香族環あたりのZ1〜Z29で表わされる官能基の配位数を表わし、r1〜r29は0〜5の整数であり、nk+rk≦4(k=1〜10,12〜13,15〜16,18〜23,26〜29)、nk+rk≦5(k=11、14、17)、nk+rk≦3(k=24、25)である。)
IPC (4件)：
C08G 65/40
, H01B 1/06
, H01M 8/02
, H01M 8/10
C08G 65/40
, H01B 1/06 A
, H01M 8/02 P
, H01M 8/10
4J005AA23
, 4J005BD06
, 5G301CA30
, 5G301CD01
, 5H026AA06
, 5H026CX05
, 5H026EE19
