特許
J-GLOBAL ID：200903053233726690

半導体装置、半導体素子の実装構造、及び半導体装置の実装構造

発明者：
三好 正義

三好 正義 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-136037
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332042
出願日： 1999年05月17日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：
【要約】【課題】 半導体集積回路の高集積化に伴い半田バンプを微細化してもLSIチップの接続部の強度が十分に得られ、半田付けの際に用いたフラックスを洗浄して取り除くことが可能なLSIチップの実装構造を実現する。【解決手段】 LSIチップ2の一面に形成された電源用またはグランド用の複数の半田付けパッド5aがそれぞれ、基板1の一面に形成された半田付けパッド4aと半田バンプ6aを介して接続される。また、LSIチップ2の一面に形成された信号用の複数の半田付けパッド5bがそれぞれ、基板1の一面に形成された半田付けパッド4bと半田バンプ6bを介して接続される。半田バンプ6aの大きさが半田バンプ6bの大きさよりも大きくなっていることで、半田バンプ6bを微細化しても半田バンプ6bにより強度が充分に得られると共に、LSIチップ2と基板1とのギャップが確保される。
請求項（抜粋）：
半導体集積回路と、該半導体集積回路と電気的に接続された複数の電極部と、該電極部の表面にそれぞれ形成された複数の金属バンプとを有する半導体装置において、前記複数の金属バンプのうち少なくとも1つの金属バンプの大きさが他の金属バンプの大きさと異なっていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/60 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12
FI (3件)：
H01L 21/92 602 Q ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/12 L
Fターム (3件)：
5F044KK01 ,  5F044LL01 ,  5F044QQ02
引用特許：
審査官引用 (2件)

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