特許
J-GLOBAL ID：200903053296103464
面発光型半導体レーザ装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-021526
公開番号（公開出願番号）：特開2004-128524
出願日： 2004年01月29日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：
【課題】光出力特性に特別の影響を与えることなく、偏波面制御を行うことのできる、面発光型半導体レーザを提供する。【解決手段】本発明では、半導体基板上に下部半導体多層反射膜、下部スペーサ層、活性層、上部スペーサ層、少なくとも、光出射口方向に向かうに従ってxが次第に小さくなるように、順次AlxGa1-xAs層を、断続的に含むように形成された上部半導体多層反射膜とを順次積層する工程と、AlxGa1-xAs層を断面に露呈せしめるように、所望の形状の半導体柱を形成する工程と、半導体柱の断面または周囲から露呈するAlxGa1-xAs層に水蒸気を含むガスを接触せしめAlxGa1-xAs層を酸化する酸化工程とを含み、少なくとも上部半導体多層反射膜が、光出射口方向に向かうに従って活性層からの出射光に対してその周囲の領域と反射率の異なる開口領域を有する反射膜層を断続的に含むように形成したことを特徴とする。 【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に下部半導体多層反射膜、下部スペーサ層、活性層、上部スペーサ層、少なくとも、光出射口方向に向かうに従ってxが次第に小さくなるように、順次AlxGa1-xAs層を、断続的に含むように形成された上部半導体多層反射膜とを順次積層する工程と、
前記AlxGa1-xAs層を断面に露呈せしめるように、所望の形状の半導体柱を形成する工程と、
前記半導体柱の断面または周囲から露呈する前記AlxGa1-xAs層に水蒸気を含むガスを接触せしめ前記AlxGa1-xAs層を酸化する酸化工程とを含み、
少なくとも前記上部半導体多層反射膜が、光出射口方向に向かうに従って活性層からの出射光に対してその周囲の領域と反射率の異なる開口領域を有する反射膜層を断続的に含むように形成したことを特徴とする面発光型半導体レーザ装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F073AA65
, 5F073AA74
, 5F073BA02
, 5F073CA04
, 5F073CB02
, 5F073CB22
, 5F073DA05
, 5F073EA15
