特許

J-GLOBAL ID：200903053321820540

半導体ウェーハの製造方法及び半導体ウェーハ

発明者： 谷口 徹 ,  森田 悦郎
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-020697
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210626
出願日： 2000年01月28日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェーハの製造方法及び半導体ウェーハにおいて、プラズマエッチング法によって、超高平坦度を得ること。【解決手段】 半導体ウェーハWの表裏面の少なくとも一方の被加工面Sをプラズマエッチングにより加工する半導体ウェーハの製造方法であって、前記被加工面の凹凸を測定する被加工面測定工程と、プラズマエッチングにより前記被加工面を前記被加工面測定工程で測定された凹凸に応じてエッチング量を変えながら局部的に加工し平坦化するプラズマ加工工程とを備え、前記被加工面測定工程は、前記被加工面にレーザ光Lをスポット状に照射して反射した反射光によって前記凹凸を測定する。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハの表裏面の少なくとも一方の被加工面をプラズマエッチングにより加工する半導体ウェーハの製造方法であって、前記被加工面の凹凸を測定する被加工面測定工程と、プラズマエッチングにより前記被加工面を前記被加工面測定工程で測定された凹凸に応じてエッチング量を変えながら局部的に加工し平坦化するプラズマ加工工程とを備え、前記被加工面測定工程は、前記被加工面にレーザ光をスポット状に照射して反射した反射光によって前記凹凸を測定することを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  G01B 11/24 ,  H01L 21/66

FI (5件)：

C23F 4/00 A ,  H01L 21/66 J ,  H01L 21/302 D ,  G01B 11/24 A ,  H01L 21/302 L

Fターム (43件)：

2F065AA06 ,  2F065AA30 ,  2F065AA47 ,  2F065AA50 ,  2F065BB03 ,  2F065CC19 ,  2F065DD06 ,  2F065FF10 ,  2F065GG04 ,  2F065GG13 ,  2F065HH04 ,  2F065HH13 ,  2F065JJ01 ,  2F065JJ05 ,  2F065JJ09 ,  2F065LL04 ,  2F065MM06 ,  2F065MM07 ,  2F065NN20 ,  2F065PP02 ,  2F065PP05 ,  2F065PP22 ,  2F065QQ03 ,  2F065QQ23 ,  2F065TT08 ,  4K057DA04 ,  4K057DD10 ,  4K057DE06 ,  4K057DG20 ,  4K057DM13 ,  4K057DM29 ,  4K057DN01 ,  4M106AA01 ,  4M106BA05 ,  4M106CA24 ,  5F004AA01 ,  5F004BA03 ,  5F004BA20 ,  5F004BB24 ,  5F004CA05 ,  5F004DA18 ,  5F004DB01 ,  5F004DB19

引用特許：

審査官引用 (4件)

• プラズマエッチング法及びプラズマエッチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-071011   出願人：スピードファム株式会社
• プラズマエッチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-042150   出願人：スピードファム株式会社
• 半導体ウェ-ハおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-227598   出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社
• プラズマエッチングによる半導体ウェーハの両面加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-058878   出願人：株式会社スーパーシリコン研究所