特許

J-GLOBAL ID：200903053322110270

単結晶育成方法

発明者： 藤原 千恵子 ,  遠藤 和光
出願人/特許権者： NECトーキン株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-199189
公開番号（公開出願番号）：特開2009-035434
出願日： 2007年07月31日
公開日（公表日）： 2009年02月19日
要約：

【課題】 良好な品質の圧電単結晶(La3Ga5SiO14の単結晶、Sr3Ga4Ge2O14の単結晶)の育成を、マイクロ引き下げ法により十分な速度で実施する。【解決手段】 坩堝2の底面のダイ部9の直下の位置と、そこから10mm下方の位置との温度差をΔT(°C)と定め、また育成時の種結晶4の引き下げ速度をV(mm/min)と定める。このとき、温度差ΔTが10°C≦ΔT≦25°Cの場合に、引き下げ速度Vが0.05mm/min≦V≦1.5mm/minの範囲の条件において前記の圧電単結晶を育成するか、もしくは温度差ΔTが25°C≦ΔT≦50°Cの場合に、引き下げ速度Vが0.05mm/min≦V≦0.3mm/minの範囲の条件において前記の圧電単結晶を育成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ランガサイト構造を有する酸化物単結晶のマイクロ引き下げ法による育成方法において、坩堝底面外側の中心部の直下での温度T1(°C)と、前記坩堝底面外側の中心部から鉛直方向に下方10mmの位置における温度T2(°C)との温度差(T1-T2)をΔT(°C)とするとともに、種結晶の引き下げ速度をV(mm/min)として、 前記温度差ΔTの値に基づいて、前記引き下げ速度Vを特定の範囲に規定することを特徴とする単結晶育成方法。

IPC (5件)：

C30B 29/34 ,  C30B 15/08 ,  C30B 29/32 ,  H01L 41/24 ,  H01L 41/18

FI (5件)：

C30B29/34 Z ,  C30B15/08 ,  C30B29/32 G ,  H01L41/22 A ,  H01L41/18 101A

Fターム (12件)：

4G077AA02 ,  4G077BC44 ,  4G077BD15 ,  4G077CF01 ,  4G077CF02 ,  4G077EA01 ,  4G077EH06 ,  4G077HA04 ,  4G077HA11 ,  4G077PC02 ,  4G077PF53 ,  4G077PF55

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 酸化物単結晶の製造方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-217513   出願人：日本碍子株式会社
• 単結晶育成用坩堝及びそのアフターヒーター
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-276997   出願人：株式会社フルヤ金属