特許
J-GLOBAL ID：200903053332889879

面積の大きな基板の処理のためのプラズマ反応装置

発明者：
シュミット,ジャック

シュミット,ジャック について


出願人/特許権者：
ユナキス・トレーディング・アクチェンゲゼルシャフト

ユナキス・トレーディング・アクチェンゲゼルシャフト について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-516221
公開番号（公開出願番号）：特表2003-506889
出願日： 2000年08月08日
公開日（公表日）： 2003年02月18日
要約：
【要約】本質的に面積の大きな基板(15)の処理のための高周波プラズマ反応装置(1)が開示されており、該反応装置はプラズマ反応装置の電極(3,5)の間に平らでない表面断面形状を有する固体のもしくはガス状の誘電層(11)を有しており、該誘電層は、反応装置内のプロセス不均一性を補償することができるために、または設定した分布プロファイルを発生させることができるために設計されている。
請求項（抜粋）：
容量結合型高周波プラズマ反応装置(1,20)であって、 - 少なくとも2つの導電性の、相互に分離した電極(3,5)、その際、いずれもの電極が外側の表面(3a,5a)を有している、 - これら電極(3,5)間に囲まれた内側のプロセス空間(13)、 - 内側のプロセス空間(13)に反応ガスを供給するためのガス供給装置(7)、 - プロセス空間(13)内のプラズマ放電の発生のための、電極(3,5)の少なくとも一方と接点(9a)で結合している少なくとも1つの高周波発生器(9)、 - 反応装置から反応ガスを除去するための装置(8)、 - 内側のプロセス空間の境界形成しかつプラズマ放電のプロセス工程にさらされるべき、少なくとも1つの基板(15)、その際、該基板(15)は平面(15a)上に広がりかつ電極(3,5)間に配置されている、からなる反応装置において、 該反応装置(1,20)が少なくとも1つの誘電性層(11)を有しており、該層が内側のプロセス空間の外側に存在しており、かつ静電容量として該基板(15)および該プラズマと電気的に直列に接続されており、その際、設定した分布プロフィールを発生させるために、殊に反応装置内のプロセス不均一性を補償するために、該誘電層(11)が不均一な面静電容量範囲を少なくとも該平面(15a)に向かって有していることを特徴とする反応装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46
FI (5件)：
H01L 21/205 ,  H05H 1/46 B ,  H05H 1/46 C ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 C
Fターム (15件)：
5F004AA01 ,  5F004BA06 ,  5F004BA07 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BD04 ,  5F045AA08 ,  5F045BB02 ,  5F045DP02 ,  5F045EB02 ,  5F045EF05 ,  5F045EH03 ,  5F045EH04 ,  5F045EH05 ,  5F045EH14
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (1件)
  • プラズマ処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-326840   出願人：住友金属工業株式会社

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