特許

J-GLOBAL ID：200903053342422510

基板処理方法

発明者： 河野 広明
出願人/特許権者： 住友精密工業株式会社
代理人 (1件)： 生形 元重 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-167470
公開番号（公開出願番号）：特開2001-351893
出願日： 2000年06月05日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
要約：

【要約】【課題】 反応レートが高く、しかも、クリーンで基板へのダメージが少ないレジスト剥離技術を提供する。【解決手段】 基板1を回転させながら、その中心部にオゾン水7を連続的に供給する。オゾン水7には、事前にオゾンガスを気泡状態で混合させておく。このオゾンガス混合オゾン水7を基板1の表面上で流動させることにより、基板1の表面に付着するレジストが効率的に除去される。

請求項（抜粋）：

処理すべき基板の表面上で、オゾンガスが気泡状態で混合されたガス混合オゾン水を流動させることにより、基板表面に付着する有機物を除去することを特徴とする基板処理方法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 647 ,  B08B 3/08 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/308

FI (5件)：

H01L 21/304 647 Z ,  B08B 3/08 Z ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/308 E ,  H01L 21/30 572 B

Fターム (16件)：

2H096LA01 ,  2H096LA03 ,  3B201AA03 ,  3B201AB01 ,  3B201AB34 ,  3B201BB21 ,  3B201BB89 ,  3B201BB93 ,  3B201BB98 ,  3B201CC21 ,  5F043BB27 ,  5F043CC16 ,  5F043EE07 ,  5F043EE08 ,  5F046MA02 ,  5F046MA06

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体基板表面からの有機汚染物の除去方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-331555   出願人：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ
• 基板表面処理方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-208968   出願人：三菱電機株式会社