基板表面処理方法および装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：朝日奈宗太 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-208968
公開番号（公開出願番号）：特開2000-037671
出願日： 1998年07月24日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：

【要約】【課題】高濃度オゾン溶液を利用するプロセスにおいて、高濃度オゾン溶液を有効利用し、処理速度向上のための基板表面処理方法を提供する。【解決手段】高濃度オゾン溶液を被処理物である基板3に接触させるプロセスにおいて、オゾン溶液供給口5から被処理物である基板3までの間に気液界面が存在しないように少なくとも前記オゾン供給口5から基板3までを密閉し得る構造とした。

請求項（抜粋）：

高濃度オゾン溶液を被処理物に接触させるプロセスにおいて、オゾン溶液供給口から被処理物までの間に気液界面が存在しないように少なくとも前記オゾン供給口から被処理物までを密閉し得る構造としたことを特徴とする基板表面処理方法。

IPC (5件)：

B08B 5/00 , B08B 3/02 , H01L 21/027 , H01L 21/304 642 , H01L 21/316

FI (5件)：

B08B 5/00 Z , B08B 3/02 F , H01L 21/304 642 F , H01L 21/316 U , H01L 21/30 572 A

Fターム (27件)：

3B116AA01 , 3B116AB34 , 3B116BB22 , 3B116BB89 , 3B116CD42 , 3B201AA02 , 3B201AA03 , 3B201AB34 , 3B201BB02 , 3B201BB03 , 3B201BB04 , 3B201BB05 , 3B201BB22 , 3B201BB32 , 3B201BB93 , 3B201BB96 , 3B201CD33 , 5F046MA02 , 5F046MA10 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BE03 , 5F058BF29 , 5F058BF58 , 5F058BF63 , 5F058BF65 , 5F058BJ01

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体ウェハの洗浄方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-294374 出願人：株式会社東芝
基板洗浄装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-249082 出願人：松下電器産業株式会社
回転式半導体基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-266985 出願人：ソニー株式会社

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