特許

J-GLOBAL ID：200903053352116930

半導体層の成長方法および半導体発光素子の製造方法

発明者： 中島 博 ,  橋本 茂樹 ,  朝妻 庸紀
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-182037
公開番号（公開出願番号）：特開2002-008980
出願日： 2000年06月16日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：

【要約】【課題】ペンデオ成長法において、発生するボイドの大きさを抑制し、半導体層の結晶のc軸の傾きを抑制し、半導体層中の欠陥を低減できる半導体層の成長方法とこれを用いた半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】基板11上に凸にIII-V族化合物であるGaNなどの第1半導体層12bを形成し、次に、基板の主面に対して垂直な方向への成長速度Gaよりも、基板の主面内方向への成長速度Gbが速い条件下で、第1半導体層12b表面にIII-V族化合物であるGaNなどの第2半導体層12を、気相成長を行う反応室の圧力を400Torr以上に制御するなど、反応室の圧力を制御することにより、第2半導体層12の側面Sが(11-22)面となるようにするなど、第2半導体層12の側面Sと底面のなす角が鋭角となるように気相成長させる。

請求項（抜粋）：

基板上に凸にIII-V族化合物である第1半導体層を形成する工程と、上記基板の主面に対して垂直な方向への成長速度よりも、上記基板の主面内方向への成長速度が速い条件下で、上記第1半導体層表面にIII-V族化合物である第2半導体層を気相成長させる工程とを有し、上記第2半導体層を気相成長させる工程が、当該第2半導体層の側面と底面のなす角が鋭角となるように成長させる工程を含む半導体層の成長方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/40 502 H ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323

Fターム (43件)：

4G077AA03 ,  4G077AB10 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA74 ,  5F041FF16 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AE25 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF09 ,  5F045AF14 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA54 ,  5F045DA55 ,  5F045DA62 ,  5F045DA63 ,  5F045DA64 ,  5F045HA03 ,  5F073AA45 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-218122   出願人：日亜化学工業株式会社
• III族窒化物系化合物半導体基板の製造方法及び半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-130434   出願人：豊田合成株式会社