特許

J-GLOBAL ID：200903053361818140

窒化物半導体素子

発明者： 佐野 雅彦 ,  中村 修二
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-069879
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270755
出願日： 1997年03月24日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【目的】 結晶性の良い窒化物半導体よりなる基板の製造方法と、窒化物半導体基板を用いた素子の新規な製造方法を提供する。【構成】 p型不純物がドープされたp型窒化物半導体層表面に、少なくともルテニウム(Ru)とニッケル(Ni)とを含む正電極が形成されていることにより、少ないp型不純物濃度でもオーミック性に優れた正電極が形成できるので、p層の結晶性が良くなる。

請求項（抜粋）：

p型不純物がドープされたp型窒化物半導体層表面に、少なくともルテニウム(Ru)とニッケル(Ni)とを含む正電極が形成されていることを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-080305   出願人：三菱電線工業株式会社
• 窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-317844   出願人：日亜化学工業株式会社
• 3族窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-252896   出願人：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所