3次元積層半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-231214
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050735
出願日： 2000年07月31日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：

【要約】【課題】同一の電極構造を有するにも拘わらず、積層された場合に半導体装置毎に信号を印加できる半導体装置を提供すること。【解決手段】第1半導体チップ10は、裏面13の突起電極15a,15b,15cと、表面12の突起電極14b,14c,14dとが、半導体チップ10の表裏面に対して斜めに交差する斜め貫通電極17A,17B,17Cによって接続されていて、第1半導体チップ10の上に、同一の電極構造を有する第2,第3半導体チップ20,30が積層されている。第1乃至第3半導体チップ10,20,30は、斜め貫通電極17A,17B,17C・・・および垂直貫通電極18,28,38・・・によって互いに接続されている。突起電極15aは第3半導体チップのみに、突起電極15bは第2半導体チップのみに、突起電極15cは第1半導体チップのみに、信号を印加する。

請求項（抜粋）：

表裏面に貫通する貫通電極を有する半導体装置において、少なくとも1つの上記貫通電極は、上記表裏面に対して斜めに交差する斜め貫通電極であることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 25/065 , H01L 25/07 , H01L 25/18 , H01L 23/52

FI (2件)：

H01L 25/08 B , H01L 23/52 C

引用特許：

審査官引用 (7件)

配線基板とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-018361 出願人：松下電器産業株式会社
特開平4-356956
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-194348 出願人：株式会社東芝

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