特許

J-GLOBAL ID：200903053435125800

半導体装置

発明者： 監物 秀憲 ,  榎本 容幸
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-063001
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252138
出願日： 1993年02月26日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：

【要約】【目的】 リソグラフィの露光時におけるハレーションを防止するための反射防止膜が金属配線から剥離するのを防止する。【構成】 金属配線であるAl-1%Si膜14と反射防止膜であるTiON膜15との間にTi膜18が設けられている。Ti膜18はAl-1%Si膜14及びTiON膜15の何れとも反応性が高いので、Ti膜18はAl-1%Si膜14とTiON膜15とを密着させている密着層になっている。このため、TiON膜15が形成された後に熱処理を受けても、TiON膜15がAl-1%Si膜14から剥離しない。

請求項（抜粋）：

金属配線上に密着層を介して反射防止膜が設けられている半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

H01L 21/88 B ,  H01L 21/30 361 T ,  H01L 21/30 361 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-056226
  
• 固体撮像素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-184172   出願人：キヤノン株式会社
• 半導体装置のパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-017543   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平4-056226