特許
J-GLOBAL ID：200903053446107315
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-194852
公開番号（公開出願番号）：特開2008-021950
出願日： 2006年07月14日
公開日（公表日）： 2008年01月31日
要約：
【課題】シリコン(Si)を含むアルミニウム(Al)合金からなる電極パッドを用いる場合においても、ニッケル(Ni)層をパッド電極表面の所望部位に確実に形成するとともに、バンプ電極の十分な密着性を確保し、電極パッドに安定に接続されたバンプ電極構造を得る。【解決手段】アルミニウム(Al)-シリコン(Si)からなる電極パッド13上に、ニッケル(Ni)層17を無電解メッキ法により形成する際、触媒となる亜鉛(Zn)の析出に先行して、当該電極パッド13の表面に銅(Cu)を断続的な斑状或いは島状に形成し、Cu薄層15を配設する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、
前記半導体基板の一方の主面に配設され、アルミニウムを主体材料としその表層部に銅層を有する電極パッドと、
前記電極パッド上に配設されたバンプ下地層と、
前記バンプ下地層を介して前記電極パッド上に配設されたバンプと
を具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示
前のページに戻る
