特許

J-GLOBAL ID：200903071656244623

電極構造および電極構造を形成する方法

発明者： 渡辺 勲 ,  岡本 圭史郎 ,  橋本 薫
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-214479
公開番号（公開出願番号）：特開2004-056020
出願日： 2002年07月23日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：

【課題】電極数および電極密度等の大きな素子に対しても高い信頼性を維持することの可能な電極構造を提供すること。【解決手段】本発明による電極構造は、はんだによる結合を行うためのニッケルめっき層を有し、めっき液に不溶解性の固体粒子が、前記ニッケルめっき層内に分散している。はんだ層からスズが到来してきたとしても、固体粒子が物理的な障害となって、ニッケルめっき層中に進行することが抑制される。このため、ニッケルめっき層中で燐に富んだ層が形成されることも抑制される。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

はんだによる結合を行うためのニッケルめっき層を有する電極構造において、めっき液に不溶解性の固体粒子が、前記ニッケルめっき層内に分散していることを特徴とする電極構造。

IPC (6件)：

H01L21/60 ,  C23C18/32 ,  C23C18/52 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205

FI (9件)：

H01L21/92 603D ,  C23C18/32 ,  C23C18/52 A ,  C23C18/52 B ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/288 E ,  H01L21/92 604M ,  H01L21/88 T ,  H01L23/14 M

Fターム (22件)：

4K022AA02 ,  4K022AA41 ,  4K022AA42 ,  4K022BA14 ,  4K022BA16 ,  4K022BA32 ,  4K022BA34 ,  4K022BA36 ,  4K022DA01 ,  4K022DB14 ,  4M104BB05 ,  4M104BB09 ,  4M104DD53 ,  4M104FF13 ,  4M104HH05 ,  5F033HH07 ,  5F033HH13 ,  5F033MM05 ,  5F033MM11 ,  5F033PP28 ,  5F033VV07 ,  5F033XX28

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 電子部品実装接続体およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-301653   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開昭61-221394
  
• 半導体素子の突起電極構造およびその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-074006   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開昭61-221394