半導体装置の製造方法および半導体製造装置

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出願人/特許権者： , , , , , , ,
代理人 (1件)：大垣孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-291742
公開番号（公開出願番号）：特開2001-217222
出願日： 2000年09月26日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
要約：

【要約】【課題】半導体ウエハの再汚染を防止でき、良好な膜質の成膜を可能とし、素子へのダメージを少なくする。【解決手段】洗浄処理装置10は、ウエハスクラバ室14および真空紫外光処理室16により構成される。ウエハスクラバ室では、ウエハ18の表面の異物が除去される。真空紫外光処理室では、ウエハに真空紫外光31を照射することでウエハ表面の有機物などの不純物が除去される。ウエハスクラバ室と真空紫外光処理室との間がロードロック室28により接続されており、真空紫外光処理室とCVD室12との間がロードロック室30により接続されている。これらロードロック室では、ウエハを大気に曝さない状態で、ウエハスクラバ室から真空紫外光処理室への移送、および真空紫外光処理室からCVD室への移送が行われる。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハの洗浄処理を含む半導体装置の製造方法において、前記洗浄処理が(a)前記半導体ウエハの表面の異物をウエハスクラバによって除去する工程と、(b)前記半導体ウエハに真空紫外光を照射して当該半導体ウエハの表面の有機物などの不純物を除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/306 , H01L 21/3065 , H01L 21/304 644 , H01L 21/304 645

FI (4件)：

H01L 21/304 644 A , H01L 21/304 645 D , H01L 21/306 J , H01L 21/302 N

Fターム (16件)：

5F004AA14 , 5F004BB04 , 5F004CA04 , 5F004CA05 , 5F004DA23 , 5F004DB26 , 5F004EA10 , 5F043AA01 , 5F043BB27 , 5F043DD02 , 5F043DD10 , 5F043DD15 , 5F043DD16 , 5F043EE07 , 5F043EE35 , 5F043GG10

引用特許：

審査官引用 (6件)

基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-028486 出願人：大日本スクリーン製造株式会社
基板の表面処理方法及び表面処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-148534 出願人：大日本スクリーン製造株式会社
特開昭63-266834

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