特許
J-GLOBAL ID：200903053482944479
Bi層状強誘電体薄膜の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-281531
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121703
出願日： 1997年10月15日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：
【要約】【課題】 Bi 層状強誘電体薄膜の組成ずれを補償抑制し、下地との反応を抑制すると共に、薄膜内部の空隙の少い緻密な構造を有し、また電気的接合の阻害を回避できること。【解決手段】 貴金属(Pt )による下部電極4に覆われたSi 基板1の表面にBi 層状強誘電体薄膜を作製する際、まずBi を含む酸化物薄膜によるバッファ層5を作製し、この表面にBi 層状強誘電体6により薄膜を作製するので、Bi層状強誘電体6とSi 基板1を覆う貴金属等との反応を防ぎ、かつ従来より低温で結晶化が進む。従って、作製される薄膜の組成ずれが抑制され密度の高い薄膜が作製できる。バッファ層5の膜厚をBi 層状強誘電体薄膜の膜厚の5%以下にした場合にはキャパシタとして電気的特性を劣化させず、多結晶Si により電気的接続をとる際には摂氏650度以下で成膜して酸化物生成が回避できた。
請求項（抜粋）：
基板上に(Bi 2 O2 )2+(Am Bn Ol )2-と表されるBi 層状強誘電体薄膜を作製する際、前記基板上にBi (ビスマス)を含む酸化物薄膜によるバッファ層を形成した後にBi 層状強誘電体薄膜を作製することを特徴とするBi 層状強誘電体薄膜の製造方法。
IPC (10件)：
H01L 27/10 451
, C01G 29/00
, H01B 3/00
, H01B 3/12 313
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 21/316
H01L 27/10 451
, C01G 29/00
, H01B 3/00 H
, H01B 3/12 313 E
, H01L 21/316 M
, H01L 27/10 651
, H01L 29/78 371
