特許
J-GLOBAL ID：200903053492607683

半導体装置の製造装置及び製造方法

発明者：
野崎 眞次

野崎 眞次 について

, 
内田 和男

内田 和男 について

, 
森崎 弘

森崎 弘 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体理工学研究センター

株式会社半導体理工学研究センター について


代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-307085
公開番号（公開出願番号）：特開2005-079300
出願日： 2003年08月29日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：
【課題】半導体装置の製造装置及び製造方法 【解決手段】本発明は、ガス中蒸発法において、生成した超微粒子を被処理基板まで効率的に搬送するために搬送気体(以下、キャリアガスと呼ぶ)を用いる装置及び方法を含み、上記キャリアガスの流れを制御する整流機構、及び大量の原料の供給を可能にする蒸発源を備えた、超微粒子多孔質薄膜を大面積の被処理基板に形成する装置及び方法、並びに上記方法により製造した薄膜を酸化処理することにより超微粒子多孔質絶縁薄膜を製造する方法である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
大気圧より低い圧力の不活性気体を有するチャンバと、 上記チャンバ内に上記不活性気体からなる搬送気体の流れを形成する気体搬送機構と、 上記搬送気体の流れの上流側に設けられた半導体用材料からなる原料の蒸発手段と、 上記搬送気体の流れの下流側に設けられた半導体材料基板の保持手段とを具備し、 上記原料蒸発手段から蒸発し、生成した半導体用材料の微粒子を上記搬送気体により搬送し上記半導体材料基板上に堆積させて薄膜を形成することを特徴とする、半導体装置の製造装置。
IPC (4件)：
H01L21/316 ,  C23C14/24 ,  H01L21/203 ,  H01L21/768
FI (5件)：
H01L21/316 C ,  C23C14/24 R ,  H01L21/203 Z ,  H01L21/90 N ,  H01L21/90 K
Fターム (45件)：
4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA35 ,  4K029BB01 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  4K029DA04 ,  4K029EA03 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ76 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR29 ,  5F033SS07 ,  5F033SS10 ,  5F033SS11 ,  5F033SS25 ,  5F033SS27 ,  5F033WW01 ,  5F033XX01 ,  5F033XX03 ,  5F033XX24 ,  5F033XX27 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BF54 ,  5F058BF62 ,  5F058BJ02 ,  5F103AA01 ,  5F103AA04 ,  5F103BB38 ,  5F103DD16 ,  5F103GG02 ,  5F103HH03 ,  5F103LL08 ,  5F103NN04 ,  5F103NN06 ,  5F103RR10
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (3件)

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