特許
J-GLOBAL ID：200903053512684906
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 哲也 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-351152
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186386
出願日： 1997年12月19日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】隣接する通電層のみを接続するシェアードコンタクト構造の導電体プラグを有する絶縁層と、その上方に形成された配線層とを有する半導体装置において、前記導電体プラグの損傷を防止しながら、製造に必要な工程数を従来より少なくする。【解決手段】ゲート電極22が形成された半導体基板1の上に絶縁膜3を形成する。この絶縁膜3に、シェアードコンタクト構造のコンタクトホール41,42と通常のコンタクトホール5を形成し、各コンタクトホール41,42,5内に導電体プラグ61〜63を形成する。導電体プラグ61は、ゲート電極22とソース・ドレイン領域12との接続のみを行い、上側配線7との接続は行わない。そのため、絶縁層3の直上に設けた導電膜に下側配線7を形成する際に、この導電体膜に対して、導電体プラグ61の上面を覆う被覆体8も同時に形成する。
請求項（抜粋）：
隣接する通電層のみを接続するシェアードコンタクト構造の導電体プラグを有する絶縁層と、その上方に形成された配線層とを備えた半導体装置において、前記導電体プラグの上面は、前記配線層用の導電膜に形成された被覆体で直接覆われていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/28 301
H01L 21/90 C
, H01L 21/28 301 R
, H01L 21/90 B
