半導体装置の配線構造及びその形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-331739
公開番号（公開出願番号）：特開平9-172078
出願日： 1995年12月20日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：

【要約】【課題】製造工程数の増加を回避できるとともに、半導体装置のより一層の高集積化が可能な半導体装置の配線構造及びその形成方法を提供する。【解決手段】半導体基板1上に絶縁膜4を形成し、この絶縁膜4に溝4a及びコンタクト孔4bを選択的に形成する。次に、溝4a及び孔4bにタングステンを埋め込んで埋め込み配線5及びプラグ6を形成するとともに、絶縁膜4上にタングステン膜を形成する。次いで、前記タングステン膜をパターニングして、配線7bを形成する。なお、基板表面の拡散層2,3は、埋め込み配線5により相互に電気的に接続されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された絶縁膜と、この絶縁膜に設けられた溝内に埋め込まれた埋め込み配線と、前記絶縁膜上に形成された第2の配線とを有し、前記埋め込み配線は、上から見て異なる位置にある2つの導電層を電気的に接続するものであることを特徴とする半導体装置の配線構造。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , H01L 21/8244 , H01L 27/11

FI (2件)：

H01L 21/90 B , H01L 27/10 381

引用特許：

審査官引用 (4件)

スタック形半導体構造体及びその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-138644 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
薄膜疑似プレーナPFETデバイスを作製する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-028725 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-047428 出願人：富士通株式会社

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