特許
J-GLOBAL ID：200903053526672021
イオンビーム照射装置および集束イオンビームによる2次電子検出方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-329510
公開番号（公開出願番号）：特開平10-172493
出願日： 1996年12月10日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：
【要約】【課題】チャージアップが生じる微細なパターンを有する試料に対して高分解能で観察、または加工の位置決めができるようにしたイオンビーム照射装置および集束イオンビームによる2次粒子検出方法を提供することにある。【解決手段】イオン源1と該イオン源1から出射されたイオンビーム2をステージ18上に載置された試料17へ集束・偏向するイオン光学系3、4、5とを有するイオンビーム照射装置において、前記試料17上に照射されたイオンビームによって発生する2次電子に対して電界を付与して検出する2次電子検出系6、7と、電子を出射する電子シャワー11と、該電子シャワーから出射された電子に対して下方へのローレンツ力を及ぼして前記試料に向けて進める磁界を付与する磁場発生手段35とを備えたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
イオン源と該イオン源から出射されたイオンビームをステージ上に載置された試料へ集束・偏向するイオン光学系とを有するイオンビーム照射装置において、前記試料上に照射されたイオンビームによって発生する2次粒子に対して電界を付与して検出する2次粒子検出系と、該2次粒子検出系において電界が付与される試料上の空間に磁界を付与する磁場発生手段とを備えたことを特徴とするイオンビーム照射装置。
IPC (5件)：
H01J 37/252
, H01J 37/244
, H01J 37/30
, H01L 21/3065
, H01L 21/66
H01J 37/252 B
, H01J 37/244
, H01J 37/30 Z
, H01L 21/66 Q
, H01L 21/66 J
, H01L 21/302 D
