特許

J-GLOBAL ID：200903053622367000

ホットプレート用窒化アルミニウム基材

発明者： 大橋 純 ,  苅谷 悟
出願人/特許権者： イビデン株式会社
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-032892
公開番号（公開出願番号）：特開2000-231980
出願日： 1999年02月10日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：

【要約】【課題】 導体層にマイグレーションが起こりにくく信頼性に優れたホットプレート用窒化アルミニウム基材を提供すること。【解決手段】 この窒化アルミニウム基材9はホットプレート3用であり、銀からなる導体層10,10aを有する。この導体層10,10aは保護層15により被覆されている。

請求項（抜粋）：

銀からなる導体層を有するホットプレート用の窒化アルミニウム基材において、前記導体層が保護層により被覆されていることを特徴とするホットプレート用窒化アルミニウム基材。

IPC (2件)：

H05B 3/20 328 ,  H05B 3/68

FI (2件)：

H05B 3/20 328 ,  H05B 3/68

Fターム (41件)：

3K034AA02 ,  3K034AA21 ,  3K034AA34 ,  3K034AA35 ,  3K034AA37 ,  3K034BA02 ,  3K034BA11 ,  3K034BB05 ,  3K034BB06 ,  3K034BB14 ,  3K034BC12 ,  3K034CA02 ,  3K034CA15 ,  3K034CA26 ,  3K034CA32 ,  3K034EA14 ,  3K034HA01 ,  3K034HA10 ,  3K034JA02 ,  3K092PP09 ,  3K092QA05 ,  3K092QB02 ,  3K092QB44 ,  3K092QB69 ,  3K092QB75 ,  3K092QB76 ,  3K092QB78 ,  3K092QC02 ,  3K092QC18 ,  3K092QC25 ,  3K092QC38 ,  3K092QC43 ,  3K092QC52 ,  3K092RF03 ,  3K092RF11 ,  3K092RF17 ,  3K092RF22 ,  3K092SS50 ,  3K092TT07 ,  3K092VV03 ,  3K092VV08

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体処理装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-263673   出願人：日本碍子株式会社
• 発熱体、定着装置および画像形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-111624   出願人：東芝ライテック株式会社, 東芝エー・ブイ・イー株式会社
• マイカコンデンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-146632   出願人：双信電機株式会社