特許
J-GLOBAL ID：200903053624983361

薄膜トランジスタ基板およびその製造方法

発明者：
出島 芳夫

出島 芳夫 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-156924
公開番号（公開出願番号）：特開2006-332497
出願日： 2005年05月30日
公開日（公表日）： 2006年12月07日
要約：
【課題】 液晶パネルの表示品質を高める。【解決手段】 TFT基板を、絶縁性基板1に形成した凹部1aを含む領域にTFTのゲート電極2aを形成し、その上に絶縁膜層5を形成して、その凹部1aの直上の領域にソース電極3bが配置されるようにする。これにより、ゲート電極2aとソース電極3bとの間の距離が広がって寄生容量Cgsが小さく抑えられ、露光時にズレが生じた場合でも画素間の寄生容量Cgsの差が小さく、ショットムラの程度を軽減することが可能になる。さらに、フィードスルー電圧Vを低減して液晶パネル面内での輝度分布を目立たなくすることが可能になる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
基板上に薄膜トランジスタが形成された薄膜トランジスタ基板において、 凹部が形成された絶縁性基板と、 前記絶縁性基板上の前記凹部を含む領域に形成されたゲート電極と、 前記ゲート電極が形成された前記凹部を埋め込むように前記絶縁性基板上に形成された絶縁膜層と、 前記絶縁膜層で埋め込まれた前記凹部の直上の領域を含む領域に形成されたソース・ドレイン電極と、 を有することを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ,  G02F 1/136
FI (2件)：
H01L29/78 626C ,  G02F1/1368
Fターム (31件)：
2H092JA26 ,  2H092JA38 ,  2H092JA40 ,  2H092JB57 ,  2H092MA07 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092NA23 ,  5F110AA02 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD21 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE24 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG45 ,  5F110HK03 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HL07 ,  5F110HM04 ,  5F110HM12 ,  5F110NN02 ,  5F110NN16 ,  5F110NN24
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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