面発光型半導体レーザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須山佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-353113
公開番号（公開出願番号）：特開2002-158406
出願日： 2000年11月20日
公開日（公表日）： 2002年05月31日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】高温特性を改善できる面発光型半導体レーザを提供する。【解決手段】面発光型半導体レーザにおけるMQW活性層4の井戸幅Hbを4nm〜6nm、井戸数Wnを1〜3のInGaAlP系量子井戸構造を有する活性層と、前記活性層の上下層に形成されたInGaAlP系クラッド層と、前記クラッド層を介し、前記活性層の積層方向に形成された光反射層とを備える。

請求項（抜粋）：

井戸幅が4nm〜6nm、井戸数が1〜3のInGaAlP系量子井戸構造を有する活性層と、前記活性層の上下層に形成されたInGaAlP系クラッド層と、前記クラッド層を介し前記活性層の積層方向に形成された光反射層とを備えることを特徴とする面発光型半導体レーザ。

IPC (2件)：

H01S 5/42 , H01S 5/343

FI (2件)：

H01S 5/42 , H01S 5/343

Fターム (8件)：

5F073AA74 , 5F073AB17 , 5F073BA04 , 5F073CA14 , 5F073CB02 , 5F073DA14 , 5F073EA23 , 5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (9件)

特表平7-507183
特表平7-500950
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-049560 出願人：富士通株式会社

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