特許
J-GLOBAL ID：200903010634368931
III 族窒化物半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-163872
公開番号（公開出願番号）：特開平9-326534
出願日： 1996年06月04日
公開日（公表日）： 1997年12月16日
要約：
【要約】【課題】Si結晶または6H-SiC結晶の基板上に亀裂の生じないAlx Gay In1-x-y N 結晶からなるIII 族窒化物半導体装置を提供する。【解決手段】Alx Gay In1-x-y N(0 ≦x 、y かつ 0≦x+y ≦1)結晶の熱膨張係数より小さな熱膨張係数を持つ結晶からなる基板1上に形成されたAlx Gay In1-x-y N 層Ntを含むIII 族窒化物半導体装置において、前記基板と前記Alx GayIn1-x-y N 層との間に基板材料およびAlx Gay In1-x-y N 結晶の熱膨張係数より大きな熱膨張係数を持つ材料からなる応力緩和層S を介在させる。さらに、応力緩和層と基板との間に、Alx Gay In1-x-y N からなる酸化防止層T を介在さると良い。基板材料はシリコン (Si) 結晶または炭素化シリコン (SiC)結晶であると良い。
請求項（抜粋）：
Alx Gay In1-x-y N (0≦x 、y かつ 0≦x+y ≦1)結晶の熱膨張係数より小さな熱膨張係数を持つ結晶からなる基板上に形成されたAlx Gay In1-x-y N 層を含むIII 族窒化物半導体装置において、前記基板と前記Alx Gay In1-x-y N 層との間に基板材料およびAlx Gay In1-x-y N 結晶の熱膨張係数より大きな熱膨張係数を持つ材料からなる応力緩和層を介在させて、Alx Gay In1-x-y Nに生ずる応力を緩和することを特徴とするIII 族窒化物半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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