特許
J-GLOBAL ID：200903053673268155
半導体装置および半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-280863
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125913
出願日： 1996年10月23日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：
【要約】【課題】 高耐圧トランジスタの駆動能力および耐圧低下を防止し、同時に、他のトランジスタのゲート電極の帯電を防止して信頼性を高める。【解決手段】 少なくとも一方の不純物領域が、チャネル形成領域3a側から順に、低濃度なオフセット不純物領域A、高濃度な不純物領域9b、低濃度なオフセット不純物領域Bを隣接させて構成され、オフセット不純物領域A,B上を覆い高濃度な不純物領域9b上で開口するオフセット領域保護用の絶縁膜10a,10bを、チャネル形成領域3aを挟んだ他の不純物領域7a上に接する絶縁層(例えば、側壁スペーサ層8)に対し、その離間方向に分離したかたちで有する。これにより、オフセット不純物領域A,Bが保護されて当該高耐圧トランジスタ1のIdsについて初期値低下や動作時劣化が防止され、また、不純物領域7bについて、その部分的なシリサイド化等が可能となる。
請求項（抜粋）：
半導体基板内の表面側でチャネル形成領域を挟んで互いに離間する2つの不純物領域を具備し、少なくとも一方の前記不純物領域が、前記チャネル形成領域側から順に、低濃度なオフセット不純物領域、高濃度な不純物領域、低濃度なオフセット不純物領域を隣接させて構成してある高耐圧トランジスタを有する半導体装置であって、前記オフセット不純物領域上を覆い前記高濃度な不純物領域上で開口するオフセット領域保護用の絶縁膜を、前記2つの不純物領域の他方上に接する絶縁層から、その離間方向に分離したかたちで有する半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 29/78
, H01L 21/8234
, H01L 27/088
, H01L 27/115
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 29/78 301 S
, H01L 27/08 102 D
, H01L 27/10 434
, H01L 29/78 371
