半導体装置の製造方法およびその製造装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-354319
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186235
出願日： 1995年12月27日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：

【要約】【課題】多層配線構造の形成に適したブランケットメタル技術をそのまま利用して、高い歩留りを維持しつつ安定したエッチングを実現することのできる半導体装置の製造方法およびその製造装置を提供する。【解決手段】半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程S1と、前記層間絶縁膜にコンタクトホールを開口する工程S2と、前記コンタクトホール内面および層間絶縁膜上に密着層を形成する工程S3と、前記密着層上に金属膜を形成する工程S4と、前記金属膜と密着層とをエッチバックして前記コンタクトホール内に金属プラグを形成する工程S5とからなる半導体装置の製造方法において、前記金属膜を半導体基板の両面に同時形成した。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜にコンタクトホールを開口する工程と、前記コンタクトホール内面および層間絶縁膜上に密着層を形成する工程と、前記密着層上に金属膜を形成する工程と、前記金属膜と密着層とをエッチバックして前記コンタクトホール内に金属プラグを形成する工程とからなる半導体装置の製造方法において、前記金属膜を半導体基板の両面に同時形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 21/285

FI (2件)：

H01L 21/90 P , H01L 21/285 C

引用特許：

審査官引用 (12件)

誘電体分離基板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-340865 出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-081321 出願人：新日本製鐵株式会社
特開平1-149422

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