半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-081321
公開番号（公開出願番号）：特開平6-268077
出願日： 1993年03月16日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】タングステンをコンタクトホールへのプラグ形成のみでなく、配線にも使用できることを可能にする。【構成】 P型半導体基板1上の絶縁膜3にコンタクトホール4を形成する。コンタクトホール4の内部及び絶縁膜3上にバリアメタルとしてチタン膜5、窒化チタン膜6を順次形成する。窒化チタン膜6の表面上にWF6 をSiH4 にて還元することによりタングステンの核を発生させ、WF6 をH2 にて還元することによりコンタクトホール4をタングステン7で埋め込む。余分なタングステン7をエッチバックにより除去した後、WF6 をSiH4 にて還元することによりストレスの少ないタングステン8を配線として形成する。

請求項（抜粋）：

シリコンよりなる半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、このコンタクトホールの内部及び前記絶縁膜上に窒化チタン膜を形成する工程と、この窒化チタン膜上に第一のタングステン薄膜を形成する工程と、この第一のタングステン薄膜上に第二のタングステン薄膜を形成する工程と、これら第一及び第二のタングステン薄膜の一部を除去する工程と、第三のタングステン薄膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/90 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3205

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平4-313222
特開平4-313222
高融点金属もしくは高融点金属シリサイド膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-180745 出願人：株式会社日立製作所

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