特許
J-GLOBAL ID：200903053687495170
高速成膜しても割れが発生することのない高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富田 和夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-172203
公開番号（公開出願番号）：特開2001-003164
出願日： 1999年06月18日
公開日（公表日）： 2001年01月09日
要約：
【要約】【課題】 スパッタリング時に割れが発生することの少ない高誘電体膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】 Ba、SrおよびTiの複合酸化物の焼結体からなる高誘電体膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、ターゲットの厚さを0.4〜3mmの範囲内に限定することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
BaおよびTiの複合酸化物焼結体、SrおよびTiの複合酸化物焼結体、またはBa、SrおよびTiの複合酸化物焼結体からなる円盤状ターゲットにおいて、ターゲットの厚さが0.4〜3mmであることを特徴とする高速成膜しても割れが発生することのない高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 14/34 A
, H01L 21/203 S
4K029BA50
, 4K029BD00
, 4K029CA05
, 4K029DC05
, 4K029DC09
, 4K029DC12
, 5F103AA08
, 5F103BB22
, 5F103DD27
, 5F103RR01
, 5F103RR10
