特許

J-GLOBAL ID：200903042661476648

高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット

発明者： 塩野 一郎 ,  渡辺 和男 ,  丸山 仁 ,  三島 昭史 ,  森 暁 ,  小田 淳一
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 富田 和夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-114614
公開番号（公開出願番号）：特開平10-182151
出願日： 1997年05月02日
公開日（公表日）： 1998年07月07日
要約：

【要約】【課題】 スパッタリング時に割れが発生することのない高誘電体膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】 BaおよびTiの複合酸化物、SrおよびTiの複合酸化物またはBa、SrおよびTiの複合酸化物からなる焼結体の表面を研削して得られたスパッタリングターゲットにおいて、円板状ターゲット表面に形成された研削傷4は、円板状ターゲットの表面を含む平面の任意の点から放射状に流れていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

BaおよびTiの複合酸化物、SrおよびTiの複合酸化物またはBa、SrおよびTiの複合酸化物からなる焼結体の表面を研削して得られた円板状ターゲットにおいて、円板状ターゲット表面に形成された研削傷は、円板状ターゲットの表面を含む平面の任意の点から放射状に流れていることを特徴とする高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット。

IPC (8件)：

C01G 23/00 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  H01B 3/12 303 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (6件)：

C01G 23/00 Z ,  C23C 14/08 K ,  C23C 14/34 B ,  H01B 3/12 303 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-119508   出願人：三菱マテリアル株式会社
• 研削砥石のツルーイング方法およびその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-312131   出願人：株式会社ニコン
• 強誘電体膜形成用スパッタリングターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-098133   出願人：三菱マテリアル株式会社
• (Ba,Sr)Ti系ペロブスカイト構造酸化物薄膜形成用スパッタリング焼結ターゲット材の製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-106868   出願人：三菱マテリアル株式会社