半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：後藤洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-141748
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340184
出願日： 1998年05月22日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】ウエハの表面に残留している研磨粒子を効果的に除去すること。【解決手段】化学機械研摩後に洗浄装置の洗浄液に、アンモニア液にアルコール液を添加した洗浄液を用いる。または、ウエハ1の表面をアルコール液で親水化した後、アンモニア液にて洗浄処理を行う。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハに化学機械研磨を施した後、洗浄液によって洗浄処理を行う半導体装置の製造方法において、前記洗浄液として、アンモニア液にアルコール液を添加した前記洗浄液を用いて洗浄することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 647 , H01L 21/304 622 , H01L 21/304 644

FI (3件)：

H01L 21/304 647 Z , H01L 21/304 622 Q , H01L 21/304 644 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

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