特許
J-GLOBAL ID：200903014551150000

II-VI族化合物半導体結晶の表面清浄化方法

発明者：
土井 秀之

土井 秀之 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 内田 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-173971
公開番号（公開出願番号）：特開平10-120498
出願日： 1997年06月30日
公開日（公表日）： 1998年05月12日
要約：
【要約】【課題】 II-VI 族化合物半導体結晶の表面の平滑性がエッチング前後で劣化せず、鏡面で清浄性に優れ、エピタキシャル成長等に適したII-VI 族化合物半導体結晶の表面清浄化方法を提供しようとするものである。【解決手段】 水1に対して硫酸を1〜10の容量比で混合した水溶液に二クロム酸カリウムを飽和させてなるエッチング液を用い、10〜80°Cの温度範囲でII-VI 族化合物半導体結晶をエッチングし、必要に応じて、10°C以上沸点以下の温度の水、メタノール、イソプロピルアルコールで洗浄し、さらに、ジクロロメタン、トリクロロエチレン、アセトンで超音波洗浄又は煮沸洗浄するII-VI 族化合物半導体結晶の表面清浄化方法である。
請求項（抜粋）：
水1に対して硫酸を1〜10の容量比で混合した水溶液に二クロム酸カリウムを飽和させてなるエッチング液を用い、10〜80°Cの温度範囲でII-VI 族化合物半導体結晶をエッチングすることを特徴とするII-VI 族化合物半導体結晶の表面清浄化方法。
IPC (4件)：
C30B 29/48 ,  C30B 33/10 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/308
FI (4件)：
C30B 29/48 ,  C30B 33/10 ,  H01L 21/304 341 M ,  H01L 21/308 C
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (4件)
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