半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-079196
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280886
出願日： 2001年03月19日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：

【要約】【課題】待機電流の増加や、チップサイズの増大を伴うことなく、電力素子を過電流及び過熱から保護することが可能となる半導体装置を提供すること。【解決手段】電力素子Q1と、この電力素子Q1を過電流から保護する過電流保護回路10と、電力素子Q1を過熱から保護する過熱保護回路20とを具備する。そして、過熱保護回路20の応答時間を、過電流保護回路10からの過電流検出信号Sを利用し、電力素子Q1に加わるエネルギーが抑制されるように変更するようにした。

請求項（抜粋）：

電力素子と、前記電力素子を過電流から保護する過電流保護回路と、前記電力素子を過熱から保護する過熱保護回路とを具備し、前記過熱保護回路は、前記過電流保護回路からの過電流検出信号を利用して、その応答時間を変更することを特徴とする半導体装置。

IPC (10件)：

H03K 17/08 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H02H 3/08 , H02H 3/087 , H02H 5/04 , H02H 7/20 , H02M 1/00 , H03K 17/14 , H03K 17/687

FI (9件)：

H03K 17/08 C , H02H 3/08 T , H02H 3/087 , H02H 5/04 Z , H02H 7/20 F , H02M 1/00 R , H03K 17/14 , H01L 27/04 H , H03K 17/687 A

Fターム (53件)：

5F038AV06 , 5F038AZ08 , 5F038BH02 , 5F038BH07 , 5F038BH11 , 5F038BH16 , 5F038DF08 , 5F038EZ20 , 5G004AA04 , 5G004AB02 , 5G004BA03 , 5G004BA04 , 5G004DA02 , 5G004DA04 , 5G004DC01 , 5G004DC13 , 5G004EA01 , 5G053AA01 , 5G053AA14 , 5G053BA01 , 5G053BA06 , 5G053CA01 , 5G053DA01 , 5G053EA03 , 5G053EA09 , 5G053EC03 , 5H740BA12 , 5H740BB06 , 5H740BC01 , 5H740BC02 , 5H740KK01 , 5H740MM08 , 5H740MM11 , 5J055AX15 , 5J055AX32 , 5J055AX64 , 5J055BX16 , 5J055CX00 , 5J055CX07 , 5J055DX03 , 5J055DX09 , 5J055DX13 , 5J055DX22 , 5J055DX55 , 5J055DX73 , 5J055DX83 , 5J055EY01 , 5J055EY03 , 5J055EY21 , 5J055FX04 , 5J055FX09 , 5J055FX31 , 5J055GX01

引用特許：

審査官引用 (10件)

絶縁ゲート型半導体装置およびそれを用いた駆動回路装置ならびに電子システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-204364 出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
空気調和機のパワートランジスタ保護装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-010616 出願人：松下電器産業株式会社
パワーデバイスの過電流保護装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-092617 出願人：三菱電機株式会社

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