特許

J-GLOBAL ID：200903053748643720

半導体発光装置

発明者： 森下 由紀子
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-058147
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261376
出願日： 2001年03月02日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：

【要約】【課題】 ジャンクションダウン方式でマウントを行なっても閾値電流Ithが大きくならない半導体発光装置を提供する。【解決手段】 半導体発光装置の一例である半導体レーザ装置は、半導体発光素子チップとしての半導体レーザチップ430と、マウント部材としてのサブマウント410とを備え、半導体レーザチップ430は、GaN基板401を含む。半導体レーザチップ430は、サブマウント410の載置面に対して積層体402を向けるようにハンダ412を介して接着されており、サブマウント410は、GaN基板401の材料であるGaNより熱膨張係数が大きい材料を含む。

請求項（抜粋）：

チップ基板と前記チップ基板の表面に半導体層を積層した積層体とを含む半導体発光素子チップと、載置面を有するマウント部材とを備え、前記半導体発光素子チップは、前記マウント部材の前記載置面に対して前記積層体を向けるように接続しており、前記マウント部材は、前記チップ基板の材料より熱膨張係数が大きい材料を含む、半導体発光装置。

IPC (2件)：

H01S 5/022 ,  H01L 21/52

FI (2件)：

H01S 5/022 ,  H01L 21/52 A

Fターム (24件)：

5F047AA19 ,  5F047AB06 ,  5F047BA05 ,  5F047BA06 ,  5F047BA17 ,  5F047BA18 ,  5F047BA19 ,  5F047BA34 ,  5F047BA39 ,  5F047BA53 ,  5F047BB01 ,  5F047BB11 ,  5F047CA08 ,  5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB22 ,  5F073DA32 ,  5F073EA23 ,  5F073FA14 ,  5F073FA15 ,  5F073FA22 ,  5F073FA27

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置および半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-161095   出願人：ソニー株式会社
• 発光装置およびそれを用いた光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-041361   出願人：ソニー株式会社