特許

J-GLOBAL ID：200903053347775942

発光装置およびそれを用いた光装置

発明者： 池田 昌夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-041361
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230502
出願日： 2000年02月15日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：

【要約】【課題】 容易に製造することができると共に、光の出射位置を精度よく制御することができる発光装置およびそれを用いた光装置を提供する。【解決手段】 支持基体11の一面側に、第1の発光素子20および第2の発光素子30が形成されている。第1の発光素子20は、GaNよりなる第1の基板21の支持基体11側にGaInN混晶よりなる活性層23を有している。第2の発光素子30は、GaAsよりなる第2の基板31の支持基体11側にレーザ発振部40,50を備えている。第1の発光素子20と第2の発光素子30とを同一基板上に成長させる必要がないため、容易に400nm前後の発光波長を有する多波長レーザを得ることができる。また、可視領域において透明である材料により第1の基板21が構成されているので、リソグラフィ技術を用いて第1の発光素子20の発光領域および第2の発光素子30の発光領域の位置を精確に制御することができる。

請求項（抜粋）：

支持基体の一面側に、複数の発光素子が積層されてなることを特徴とする発光装置。

IPC (3件)：

H01S 5/40 ,  H01S 5/022 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 5/40 ,  H01S 5/022 ,  H01L 33/00 C

Fターム (30件)：

5F041AA12 ,  5F041AA33 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA14 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA43 ,  5F041CA44 ,  5F041CB28 ,  5F041CB29 ,  5F041DA33 ,  5F041FF16 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073AB06 ,  5F073BA06 ,  5F073CA05 ,  5F073CA07 ,  5F073CA14 ,  5F073CA22 ,  5F073CB10 ,  5F073EA07 ,  5F073EA28 ,  5F073FA14

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体発光装置、その製造方法およびマウント部材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-315759   出願人：シャープ株式会社
• フリップチップ接合で製作した多重波長レ-ザアレ-
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-125194   出願人：ゼロックスコーポレイション
• スタック型半導体レーザ装置の組立方法及び半導体レーザチップ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-211310   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-284354   出願人：日本ビクター株式会社