特許
J-GLOBAL ID：200903053774782593
半導体装置及びその作製方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-207000
公開番号（公開出願番号）：特開平6-342766
出願日： 1993年07月30日
公開日（公表日）： 1994年12月13日
要約：
【要約】【目的】メタルプラグの形成時、絶縁層と密着層との間に密着性が低下することのない構造を有する半導体装置及びその作製方法を提供する。【構成】半導体装置は、基体10に形成された下層導体層12と、下層導体層を被覆する絶縁層14と、絶縁層上に形成すべき上層導体層と下層導体層12とを電気的に接続するための絶縁層内に形成された接続孔22を有する。そして、接続孔22は、接続孔の少なくとも底面に形成されたTiN又はTiONから成る単層の密着層18と、接続孔内部に堆積されたタングステンプラグ20Aとから成る。
請求項（抜粋）：
基体に形成された下層導体層と、該下層導体層を被覆する絶縁層と、絶縁層上に形成すべき上層導体層と該下層導体層とを電気的に接続するための絶縁層内に形成された接続孔を有する半導体装置であって、該接続孔は、該接続孔の少なくとも底面に形成されたTiN又はTiONから成る単層の密着層と、接続孔内部に堆積されたタングステンプラグとから成ることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/3205
, H01L 21/90
