特許
J-GLOBAL ID：200903053778522081
N型ダイアモンド半導体の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-225719
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054443
出願日： 1997年08月07日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：
【要約】【課題】 リチウムを不純物として導入し、簡便にN型ダイアモンド半導体を形成することができる製造方法を提供する。【解決手段】 リチウム化合物溶液の蒸気を含む反応ガスを反応室内に導入し、マイクロ波を印加してプラズマ化したり、あるいは加熱することで、反応ガスを分解し、基板上にリチウムが添加されたダイアモンド膜を析出させる。具体的には、酢酸リチウムエタノール溶液、あるいは酢酸リチウム水溶液の蒸気を含む反応ガスによって、N型ダイアモンド半導体膜を得ることができた。
請求項（抜粋）：
炭素および不純物を含む反応ガスを反応室内に導入し、該反応ガスを分解して、基板上にダイアモンド半導体を析出させる際、リチウム化合物溶液の蒸気を含む反応ガスを前記反応室内に導入し、前記基板上にリチウムが添加されたダイアモンド半導体を析出させることを特徴とするN型ダイアモンド半導体の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/205
, C30B 29/04 T
