特許

J-GLOBAL ID：200903053808413860

半導体発光素子及びその製造方法

発明者： 杉山 仁 ,  大橋 健一 ,  山下 敦子 ,  鷲塚 章一 ,  赤池 康彦 ,  吉武 春二 ,  江頭 克 ,  浅川 鋼児 ,  藤本 明
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-010571
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218383
出願日： 2002年01月18日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：

【要約】【課題】 光取り出し面における光の全反射の影響で光取り出し効率が低下するのを防止することができ、光取り出し効率の向上をはかる。【解決手段】 化合物半導体基板上に発光層を含む半導体多層膜を積層し、基板と反対側の面から光を取り出す半導体発光素子の製造方法において、半導体多層膜の最上層である電流拡散層15上に、ポリスチレン(PS)とポリメタクリル酸メチル(PMMA)で構成されたブロックコポリマーを溶解した溶液を塗布してマスク材料層31を形成した後、マスク材料層31に対してアニール処理を施すことによりブロックコポリマーを相分離し、次いでCF4 を用いたRIEによりエッチングすることによりPSのパターン32を形成し、しかる後PSのパターン32をマスクにして光取り出し面の電流拡散層15をエッチングすることにより、該光取り出し面に微小凹凸を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に発光層を含む半導体多層膜を積層してなる半導体発光素子において、前記発光層からの光を外部に取り出すための光取り出し面に大きさの異なる微小凹凸が形成され、該凹凸における凸部は錐体形状であり、該凸部のほぼ全体は、高さhが100nm以上、底辺の長さdが10〜500nmの分布となっていることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 33/00 A ,  H01L 21/302 N

Fターム (19件)：

5F004AA16 ,  5F004DA01 ,  5F004DA11 ,  5F004DA25 ,  5F004DB19 ,  5F004DB23 ,  5F004EA03 ,  5F004EB08 ,  5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA13 ,  5F041CA34 ,  5F041CA37 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-064003   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-278057   出願人：東北大学長