特許
J-GLOBAL ID：200903099358444611

半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法

発明者：
羽根 一博

羽根 一博 について

, 
金森 義明

金森 義明 について


出願人/特許権者：
東北大学長

東北大学長 について


代理人 (1件)： 杉村 興作 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-278057
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086835
出願日： 2001年09月13日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：
【要約】【課題】 半導体発光素子を構成する複数の半導体層からなる多層積層構造で生成された光に対する透過率を向上させ、光の高い取り出し効率を得る。【解決手段】 基板11、第1の半導体層12、及び第2の半導体層13から構成される多層積層構造18の発光面16上に、発光面16より出力される光の波長よりも短い周期で配置された、複数の凸部からなる反射防止フィルタ17を形成する。
請求項（抜粋）：
複数の半導体層からなる多層積層構造を含む半導体発光素子であって、前記多層積層構造の発光面上に、前記多層積層構造より発せられる光の波長よりも短い周期で、格子状に配置された複数の凸部よりなる反射防止フィルタを具えることを特徴とする、半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/3065
FI (2件)：
H01L 33/00 A ,  H01L 21/302 J
Fターム (9件)：
5F004DA04 ,  5F004DA18 ,  5F004DB21 ,  5F004EA22 ,  5F004EB08 ,  5F041AA03 ,  5F041CA12 ,  5F041CA36 ,  5F041CA74
引用特許：
審査官引用 (8件)
  • 発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-064003   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
  • 特開平4-264781
  • 特開平4-264781
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