特許
J-GLOBAL ID:200903053841680563

薄型磁気素子およびトランス

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 志賀 正武 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-210308
公開番号(公開出願番号):特開平10-055916
出願日: 1996年08月08日
公開日(公表日): 1998年02月24日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、薄型化が可能であり、高いインダクタンスと性能係数Qを示し、高周波領域での使用に対応できるとともに、発熱も少ない薄型磁気素子とトランスを提供することを目的とする。【解決手段】 本発明は、少なくとも基体の一方の面に形成されたコイルパターンと、このコイルパターン上に形成された磁性薄膜とが具備されてなり、前記磁性薄膜が0.5μm以上、8μm以下の厚さに形成されてなることと、前記コイルパターンを構成するコイル導体の厚さをt、幅をaとした場合のコイル導体のアスペクト比t/aが、0.035≦t/a≦0.35の関係を満足されてなることと、前記コイルパターンを構成するコイル導体の幅をa、コイルパターンにおける隣接するコイル導体間の間隔をbとした場合に、0.2≦a/(a+b)の関係が満足されてなることのうち、少なくとも1つが満足されてなる。
請求項(抜粋):
少なくとも基体の一方の面に形成されたコイルパターンと、このコイルパターン上に形成された磁性薄膜とが具備されてなり、前記磁性薄膜が0.5μm以上、8μm以下の厚さに形成されてなることと、前記コイルパターンを構成するコイル導体の厚さをt、幅をaとした場合のコイル導体のアスペクト比t/aが、0.035≦t/a≦0.35の関係を満足されてなることと、前記コイルパターンを構成するコイル導体の幅をa、コイルパターンにおける隣接するコイル導体間の間隔をbとした場合に、0.2≦a/(a+b)の関係が満足されてなることのうち、少なくとも1つが満足されてなることを特徴とする薄型磁気素子。
IPC (2件):
H01F 17/00 ,  H01F 10/14
FI (3件):
H01F 17/00 B ,  H01F 17/00 D ,  H01F 10/14
引用特許:
審査官引用 (4件)
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