特許

J-GLOBAL ID：200903053883122188

MIM型の冷陰極素子及びその製造方法

発明者： 本郷 廣生 ,  落合 幸徳
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-192755
公開番号（公開出願番号）：特開2001-023511
出願日： 1999年07月07日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：

【要約】【課題】 平面型の電子放出面を有する冷陰極素子であって、その電子の放出性及びその面放出の均斉度を向上させる、金属/絶縁体/金属型(MIM型)の冷陰極素子及びその製造方法を提供することである。【解決手段】 基板1上に順に第1電極層2、絶縁層3及び第2電極層5を多層成膜されてなるMIM型の電子放出面4を有する冷陰極素子において、前記第1電極層2が、金属又は半導体層からなり、且つ前記絶縁層3上に設ける前記第2電極5が、前記電子放出面であるシート状の金属面4上に、所定の間隔で設ける金属パターン層として設けられているMIM型の冷陰極素子。

請求項（抜粋）：

基板上に順次に第1電極層、絶縁層及び第2電極層を多層成膜させてなる電子放出面を有するMIM型の冷陰極素子において、前記第1電極層が、金属又は半導体層からなり、前記絶縁層上の全面に、シート状の金属層を設け、前記シート状の金属層上に、所定の間隔でパターン形成されてなる前記第2電極層を有し、且つ前記第2電極層の間の被電極金属層を、前記電子放出面とすることを特徴とするMIM型の冷陰極素子。

IPC (2件)：

H01J 1/312 ,  H01J 9/02

FI (2件)：

H01J 1/30 M ,  H01J 9/02 M

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 電子放出素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-195754   出願人：株式会社東芝
• 特開平2-126532
  
• 特開昭63-080432
  

審査官引用 (1件)

• 電子放出素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-195754   出願人：株式会社東芝