特許

J-GLOBAL ID：200903053906131201

液晶表示装置およびこれに用いられる薄膜トランジスタとその製造方法

発明者： 野海 茂昭 ,  井上 和式 ,  薮下 宏二 ,  林 正美
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 大岩 増雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-346088
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189986
出願日： 1996年12月25日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】 従来の薄膜トランジスタの製造方法では、ゲートバスライン3上の端子取出し領域を、レジストパターン14で保護して陽極酸化処理を行った場合、酸化膜パターンの形状精度が低下してしまい、歩留まりの低下や表示品質の低下を招くという問題があった。【解決手段】 ゲートバスライン3上の端子取出し領域を、部分的に保護する絶縁膜として、窒化シリコンをプラズマCVD法等を用いて全面に成膜し、フォトリソグラフィ法を用いてゲートバスライン3上の端子取出し領域保護用の絶縁膜パターン19を形成し、絶縁膜パターン19をマスクとして、ゲート電極2及びゲートバスライン3を選択的に陽極酸化して、第一のゲート絶縁膜20及び層間絶縁膜21を形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に第一の電極及び第一の電極用配線を形成する第一の工程、上記第一の電極用配線上の端子取出し部に絶縁性材料を用いた絶縁膜パターンを形成する第二の工程、この絶縁膜パターンをマスクとして上記第一の電極上及び第一の電極用配線上に第一の絶縁膜を形成する第三の工程、上記第一の電極上及び第一の電極用配線上及び絶縁膜パターン上を含む絶縁性基板上に第二の絶縁膜を形成する第四の工程、上記第一の電極上に第二の絶縁膜を介して半導体膜を形成する第五の工程、上記第二の絶縁膜上に画素電極を形成する第六の工程、上記第一の電極用配線上の端子取出し部の第二の絶縁膜及び絶縁膜パターンをエッチングして開口部を設ける第七の工程、上記半導体膜上に第二の電極及び第三の電極を形成する第八の工程を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500

FI (2件)：

H01L 29/78 612 C ,  G02F 1/136 500

引用特許：

審査官引用 (4件)

• アクティブマトリックスパネルおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-322715   出願人：カシオ計算機株式会社
• 特開昭62-131578
  
• 薄膜トランジスタパネルおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-351328   出願人：カシオ計算機株式会社
• 薄膜トランジスタマトリクス装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-348260   出願人：富士通株式会社