特許

J-GLOBAL ID：200903053918790677

検査用パタ-ン及び検査方法

発明者： 西尾 直治
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-003773
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208581
出願日： 1999年01月11日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板と他の配線とを導通させるコンタクトホールが、本来は導通しない導電性パターンとの間で短絡するといった欠陥を簡便に検出することができる検査用パターン及び検査方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板21上に形成される検査用パターンは、シリコン基板21から絶縁された複数のポリシリコン配線層104と、ポリシリコン配線層104に対応して配設されシリコン基板21に導通し且つポリシリコン配線層104からサイドウォール24を介して絶縁された複数のコンタクトホール101から成る第1のコンタクト列と、ポリシリコン配線層104に対応して配設され対応する各ポリシリコン配線層104に夫々導通する複数のコンタクトホール102から成る第2のコンタクト列とを備える。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成される検査用パターンであって、前記半導体基板から絶縁された複数の導電性パターンと、前記導電性パターンに対応して配設され前記半導体基板に導通し且つ前記導電性パターンから絶縁膜を介して絶縁された複数のコンタクトホールから成る第1のコンタクト列と、前記導電性パターンに対応して配設され対応する各導電性パターンに夫々導通する複数のコンタクトホールから成る第2のコンタクト列とを備えることを特徴とする検査用パターン。

IPC (5件)：

H01L 21/66 ,  G01R 31/02 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3065 ,  H05K 3/00

FI (5件)：

H01L 21/66 Y ,  G01R 31/02 ,  H01L 21/28 C ,  H05K 3/00 T ,  H01L 21/302 J

Fターム (26件)：

2G014AA03 ,  2G014AA13 ,  2G014AA15 ,  2G014AB59 ,  2G014AC09 ,  2G014AC11 ,  4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD06 ,  4M104DD16 ,  4M104DD99 ,  4M106AA01 ,  4M106AB02 ,  4M106AB03 ,  4M106BA02 ,  4M106BA14 ,  4M106CA15 ,  4M106DH01 ,  4M106DH24 ,  4M106DH33 ,  4M106DJ18 ,  5F004DB03 ,  5F004EB01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-292855   出願人：富士通株式会社
• 特開昭61-100971
  
• 半導体装置のコンタクトオープン検査方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-111805   出願人：三星電子株式会社