特許

J-GLOBAL ID：200903053944439678

シリコンウエーハの表面粗さを改善する方法および表面粗さを改善したシリコンウエーハ

発明者： 小林 徳弘 ,  角田 均
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-282638
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111674
出願日： 1997年09月30日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 シリコンウエーハのマイクロラフネスとヘイズレベルを同時に改善することができる方法、あるいは少なくともヘイズレベルを悪化させることなくマイクロラフネスを改善できる方法を提供する。そして、これによってシリコンウエーハの表面粗さに起因する、酸化膜耐圧および信頼性試験その他のいずれの電気特性の劣化の問題も生じないシリコンウエーハを得る。【解決手段】 鏡面研磨されたシリコンウエーハを、酸化性雰囲気、1100〜1300°Cで熱処理を行い、該シリコンウエーハ表面に300nm以上の熱酸化膜を形成した後、該熱酸化膜をフッ酸を含む水溶液で除去することを特徴とするシリコンウエーハの表面粗さを改善する方法、およびこの方法により表面粗さを改善したシリコンウエーハ。

請求項（抜粋）：

鏡面研磨されたシリコンウエーハを、酸化性雰囲気で熱処理を行い、該シリコンウエーハ表面に300nm以上の熱酸化膜を形成した後、該熱酸化膜を除去することを特徴とするシリコンウエーハの表面粗さを改善する方法。

IPC (6件)：

H01L 21/306 ,  C30B 29/06 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/308 ,  H01L 21/316

FI (7件)：

H01L 21/306 B ,  C30B 29/06 B ,  H01L 21/02 Z ,  H01L 21/304 622 P ,  H01L 21/308 E ,  H01L 21/316 P ,  H01L 21/306 D

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-267935
  
• シリコン基板のはり合わせ方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-073304   出願人：ソニー株式会社
• 化合物半導体基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-160484   出願人：住友金属工業株式会社
• 半導体基体の表面平滑方法及び半導体基体及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-035612   出願人：サンケン電気株式会社