特許

J-GLOBAL ID：200903053957808346

固体電子装置およびその作製方法

発明者： ▲徳▼光 永輔
出願人/特許権者： 国立大学法人東京工業大学
代理人 (5件)： 青木 篤 ,  鶴田 準一 ,  島田 哲郎 ,  倉地 保幸 ,  下道 晶久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-074642
公開番号（公開出願番号）：特開2007-250987
出願日： 2006年03月17日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：

【課題】固体電子装置(トランジスタ)におけるオフ電流の低減およびサブスレッショルド係数の改善を図る。【解決手段】制御電圧が印加されるゲート電極3および該制御電圧によって導通状態が制御されるソース電極4およびドレイン電極5を有し、前記ソース電極および前記ドレイン電極間にチャネルを生成するチャネル層1と、前記ゲート電極および前記チャネル層の間に設けられ、等価的な比誘電率が大きい誘電体材料で構成されたゲート絶縁膜2と、を備える固体電子装置であって、前記チャネル層1と前記ゲート絶縁膜2との間の界面を、RMS値で1nm以下となるように平坦化する。【選択図】図10

請求項（抜粋）：

制御電圧が印加されるゲート電極および該制御電圧によって導通状態が制御されるソース電極およびドレイン電極を有し、前記ソース電極および前記ドレイン電極間にチャネルを生成するチャネル層と、前記ゲート電極および前記チャネル層の間に設けられ、等価的な比誘電率が大きい誘電体材料で構成されたゲート絶縁膜と、を備える固体電子装置であって、 前記チャネル層と前記ゲート絶縁膜との間の界面は、RMS値で1nm以下となるように平坦化されていることを特徴とする固体電子装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L29/78 617T ,  H01L29/78 618Z ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627A ,  H01L29/78 617V

Fターム (22件)：

5F110AA06 ,  5F110AA07 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ14 ,  5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-508258   出願人：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
• トランジスタ及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-326889   出願人：科学技術振興事業団