磁気抵抗効果型素子ならびにこれを用いた磁気記憶素子および磁気ヘッド

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：池内寛幸 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-156018
公開番号（公開出願番号）：特開2002-094143
出願日： 2001年05月24日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：

【要約】【課題】ペロブスカイト型酸化物を用いて良好なトンネル接合を実現し、低磁場でも大きな磁気抵抗効果を発現する磁気抵抗効果型素子を提供する。【解決手段】式L<SB>2</SB>(A<SB>1-z</SB>R<SB>z</SB>)<SB>2</SB>A<SB>n-1</SB>M<SB>n</SB>O<SB>3n+3+x</SB>により表される組成を有し、結晶構造内に(L-O)<SB>2</SB>層を有する層状ペロブスカイト型酸化物と、この酸化物を挟むようにこれに接して形成された一対の強磁性体と、を含む磁気抵抗効果型素子とする。ただし、AはCa、SrおよびBaから選ばれる少なくとも1種の元素を、LはBi、TlおよびPbから選ばれる少なくとも1種の元素を、MはTi、V、Cu、Ru、Ni、Mn、Co、FeおよびCrから選ばれる少なくとも1種の元素を、Rは希土類元素をそれぞれ示し、nは1、2または3であり、x、zは、それぞれ、-1≦x≦1、0≦z<1により示される範囲内の数値である。

請求項（抜粋）：

式L<SB>2</SB>(A<SB>1-z</SB>R<SB>z</SB>)<SB>2</SB>A<SB>n-1</SB>M<SB>n</SB>O<SB>3n+3+x</SB>により表される組成を有し、結晶構造内に(L-O)<SB>2</SB>層を有する層状ペロブスカイト型酸化物と、前記酸化物を挟むように前記酸化物に接して形成された一対の強磁性体と、を含むことを特徴とする磁気抵抗効果型素子。ただし、AはCa、SrおよびBaから選ばれる少なくとも1種の元素を、LはBi、TlおよびPbから選ばれる少なくとも1種の元素を、MはTi、V、Cu、Ru、Ni、Mn、Co、FeおよびCrから選ばれる少なくとも1種の元素を、Rは希土類元素をそれぞれ示し、nは1、2または3であり、x、zは、それぞれ、-1≦x≦1、0≦z<1により示される範囲内の数値である。

IPC (8件)：

H01L 43/08 , G01R 33/09 , G11B 5/39 , G11C 11/14 , G11C 11/14 ZAA , G11C 11/15 , H01F 10/20 , H01L 27/105

FI (8件)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , G11C 11/14 Z , G11C 11/14 ZAA A , G11C 11/15 , H01F 10/20 , H01L 27/10 447 , G01R 33/06 R

Fターム (25件)：

2G017AD55 , 2G017AD56 , 2G017AD62 , 2G017AD63 , 2G017AD65 , 5D034BA02 , 5D034BA03 , 5D034CA06 , 5E049AA07 , 5E049AA09 , 5E049AB03 , 5E049BA12 , 5E049BA16 , 5F083FZ10 , 5F083GA11 , 5F083GA30 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA42 , 5F083JA43 , 5F083JA56 , 5F083JA60 , 5F083PR03 , 5F083PR22 , 5F083PR33

引用特許：

審査官引用 (3件)

磁気素子、磁気メモリおよび光磁気素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-241567 出願人：株式会社東芝
磁気抵抗効果型素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-145914 出願人：三洋電機株式会社
磁気抵抗トンネル接合素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-177526 出願人：松下電器産業株式会社

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