特許
J-GLOBAL ID：200903053997822430
半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
吉武 賢次
, 橘谷 英俊
, 佐藤 泰和
, 吉元 弘
, 川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-009170
公開番号（公開出願番号）：特開2006-196833
出願日： 2005年01月17日
公開日（公表日）： 2006年07月27日
要約：
【課題】 稼働時間の低下および製造コストの増大を可及的に防止し、半導体デバイスを安定した処理条件で製造することを可能にする。【解決手段】 プラズマ処理を行う反応室2と、反応室に処理用ガスを導入する導入管18と、反応室の上方に設けられた上部電極10と、上部電極に対向するように反応室内に設けられ被処理基板100が載置される下部電極12と、上部電極および下部電極の少なくとも一方と電気的に接続され上部電極と下部電極との間に高周波電力を印加して処理用ガスのプラズマを発生させる高周波電源16と、反応室内が所定の圧力となるように排気する真空ポンプ22と、反応室内に設けられた視認マーク4aを反応室に設けられた窓5aを介して撮像する撮像装置8と、を備えている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
プラズマ処理を行う反応室と、前記反応室に処理用ガスを導入する導入管と、前記反応室の上方に設けられた上部電極と、前記上部電極に対向するように前記反応室内に設けられ被処理基板が載置される下部電極と、前記上部電極および下部電極の少なくとも一方と電気的に接続され前記上部電極と前記下部電極との間に高周波電力を印加して前記処理用ガスのプラズマを発生させる高周波電源と、前記反応室内が所定の圧力となるように排気する真空ポンプと、前記反応室内に設けられた視認マークを前記反応室に設けられた窓を介して撮像する撮像装置と、を備えていることを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/302 101H
, C23C16/44 J
4K030CA04
, 4K030DA06
, 4K030FA01
, 4K030KA39
, 4K030LA15
, 5F004AA13
, 5F004AA16
, 5F004BB13
, 5F004BB29
, 5F004CA02
, 5F004CA03
, 5F004CA04
, 5F004CA07
, 5F004CA08
, 5F004CB20
, 5F004DA00
, 5F004DA23
, 5F004DB03
