特許
J-GLOBAL ID：200903071378500990
プラズマ処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 幸彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-225578
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150487
出願日： 1998年05月28日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：
【要約】【課題】リアクタ内部の温度と壁面への反応性生物の堆積状態を制御して、エッチング特性に経時的な変化を生じさせることなく、プロセスの再現性・信頼性を、長期間にわたって低コストで維持できるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】処理室100内に設けられたUHF帯アンテナ110から放射される電磁波と、処理室100の周囲に設置された磁場形成手段101で形成される磁場との相互作用により、処理室内部にプラズマを発生してウエハWを処理するプラズマ処理装置において、処理室100の側壁102にジャケット103が交換可能に保持され、側壁内面の温度を一定温度に制御する。また、リアクタ内部でバイアス印加が可能な構成部品であるリング116,試料リング132については、その少なくとも一部分にバイアスが印加される構造を設け、かつ部品全体の熱容量を十分に小さくする。
請求項（抜粋）：
真空容器内を真空排気手段によって真空排気し、該真空容器内に処理ガスを導入し、該真空容器内にウエハを配置し、該真空容器内の下部電極にバイアス電力を供給し、該真空容器内に高周波を放射し、前記処理ガスをプラズマ化して被加工物の処理を行うプラズマ処理方法において、前記真空容器が備える処理室の側壁は、その温度が20°Cから80°Cで±10°C以内の範囲で温度制御されることを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (6件)：
H01L 21/3065
, C23C 16/505
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H05H 1/46
, C23C 14/54
H01L 21/302 B
, C23C 16/505
, C23F 4/00 A
, H01L 21/205
, H05H 1/46 A
, H05H 1/46 L
, C23C 14/54 B
, H01L 21/302 F
