特許
J-GLOBAL ID：200903053999020110
半導体集積回路装置の製造方法およびフォトマスクの製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-013168
公開番号（公開出願番号）：特開2001-201844
出願日： 2000年01月21日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 フォトマスクにおけるパターン配置位置の測定精度を向上させる。【解決手段】 フォトマスク1のパターン形成領域3内に、そのパターン形成領域3内のパターンの配置位置を測定するための位置測定用パターン5Bを複数分散させて配置した。また、パターン形成領域内にパターンの配置位置を測定する測定用パターンを複数配置したフォトマスクを用いて半導体ウエハの主面上に所定のパターンを転写する工程を有し、前記測定用パターンの寸法を、解像限界以下で、かつ、検出可能な寸法とするものである。
請求項（抜粋）：
露光光源から放射された露光光をフォトマスクを介して半導体ウエハの主面に照射することにより、前記半導体ウエハの主面上に所定のパターンを転写する工程を有し、前記フォトマスクのパターン形成領域内に、そのパターン形成領域内のパターンの配置位置を測定するための測定用パターンを複数配置することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 1/08 N
, H01L 21/30 502 P
2H095BA02
, 2H095BE03
, 2H095BE08
, 2H095BE09
