パターン露光方法及びその装置及びこれに用いるマスク並びにこれらを用いて作られた半導体集積回路

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-254993
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176476
出願日： 1994年10月20日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：

【要約】【目的】位相シフト法と同等以上の解像度を、設計不可能となるようなパターンを発生させずに実現することを目的とする。【構成】露光照明光源とマスクもしくはレティクルと光源より出射した光をマスクに照射せしめる照明光学系と、マスクの透過光もしくは反射光を被露光物体上に投影する投影光学系とよりなるパターン露光装置において、マスクが無い場合には照明光の投影光学系の瞳上での偏光状態が瞳中心に対し概ね回転対称とならしめる偏光手段を具備する構成とした。【効果】従来用いていた露光装置の投影光学系をそのまま用いて従来の解像パターンに比べてはるかに解像度の優れたパターンが露光可能になる。

請求項（抜粋）：

露光用照明光源からの光を所望の原画パターンが描画されたマスクもしくはレティクルに所望の指向性を有して照射し、当該マスクの透過光もしくは反射光を投影光学系を通して被露光物体上に投影し、上記原画パターンからの像を露光するパターン露光方法において、上記マスク上のパターンの向く方向に応じた偏光特性を当該パターンを透過した該照明光に付与せしめるパターン依存偏光マスクを用いることを特徴とするパターン露光方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 1/08 , G03F 7/20 521

FI (4件)：

H01L 21/30 528 , H01L 21/30 504 , H01L 21/30 515 B , H01L 21/30 515 Z

引用特許：

審査官引用 (3件)

フォトマスク及び露光方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-073121 出願人：株式会社ニコン
特開平4-268715
露光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-291465 出願人：株式会社ニコン

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